led反向漏电流测验设备认准武汉出产厂家普赛斯外表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测验范畴，在I-V测验上积累了丰厚的经历，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测验设备，广泛应用于广泛应用于半导体测验职业； 本功率器材静态参数测验体系可以完结多项参数测验，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。
普赛斯led反向漏电流测验设备,集多种丈量和剖析功用一体,可以精准丈量IGBT功率半导体器材的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级准确丈量、纳安级电流丈量才能等特色。支撑高压形式下丈量功率器材结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
普赛斯IGBT功率器材静态参数测验体系配备由多种丈量单元模块组成,体系模块化的规划可以极大便利用户增加或晋级丈量模块,习惯丈量功率器材不断改变的需求。
可根据实践测验需求灵敏配备多种丈量单元体系预留晋级空间,后期可增加或晋级丈量单元
测验项目集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱满电压Vcesat集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降VfI-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯外表专业研讨和开发半导体资料与器材测验的专业智能配备，产品掩盖半导体范畴从晶圆到器材出产全产业链。推出根据高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器材静态参数测验计划，为SiC和GaN器材供给牢靠的测验手法，完成功率半导体器材静态参数的高精度、高效率丈量和剖析。假如您对普赛斯功率半导体器材静态参数测验计划和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联络咱们！
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